SanDisk produceert de eerste 3D Matrix Memory-chips — met als doel de kosten per bit tot de helft van die van DRAM terug te brengen

SanDisk heeft een kleine maar belangrijke update gegeven over zijn experimentele 3D Matrix Memory en meldt dat het de eerste chips van de nieuwe geheugentechnologie op standaard 300 mm-siliciumwafers heeft geproduceerd en deze heeft verpakt voor verdere tests. Volgens het bedrijf zijn de prototypes al in staat om enkele gigabits aan gegevens op te slaan, en benaderen hun prestaties de specificaties die voor het eindproduct zijn gepland.

3D Matrix Memory is sinds 2017 in ontwikkeling als een potentieel alternatief voor conventionele DRAM, maar met een fundamenteel andere driedimensionale structuur. SanDisk stelt dat de technologie op termijn vergelijkbare prestaties zou kunnen leveren, terwijl deze tot vier keer de capaciteit van DRAM biedt. Het bedrijf streeft er tevens naar de kosten per bit te halveren in vergelijking met traditionele DRAM.

De nieuwste prototypes bouwen voort op een testmodel dat vorig jaar samen met SanDisks onderzoekspartner Imec is ontwikkeld. SanDisk is sindsdien begonnen met het stapelen van meerdere geheugenlagen en het vervaardigen van prototypes op 300-mm-wafers. De verpakte chips worden nu gebruikt voor aanvullende tests. Volgens het bedrijf hebben de experimenten al aangetoond dat er functionerende geheugenarrays bestaan met een capaciteit van meerdere gigabits. SanDisk stelt tevens dat het prestatieniveau al zeer dicht in de buurt ligt van de specificaties die het heeft vastgesteld voor een mogelijk eindproduct.

SanDisk is echter nog niet klaar om over een commerciële lancering te spreken. Alper Ilkbahar, CTO van SanDisk, merkte op dat 3D Matrix Memory een langetermijnproject blijft en dat het nog geruime tijd kan duren voordat de technologie op de markt komt.

Het project vordert, maar het is een project met een langere tijdshorizon. Wij zullen u op de hoogte blijven houden van onze vorderingen – Alper Ilkbahar.

De meest recente roadmap van SanDisk geeft weinig details over wat er daarna komt. Een eerdere roadmap toonde plannen voor monsters van 32 tot 64 Gbit, hoewel er geen tijdschema was gegeven voor de introductie daarvan.

De meest recente roadmap geeft weinig details over wat er daarna komt. Een eerdere roadmap toonde plannen voor monsters van 32 tot 64 Gbit, hoewel er geen tijdschema was gegeven voor de introductie daarvan.

Voorlopig blijft 3D Matrix Memory meer een onderzoeksproject dan een realistische vervanging voor DRAM in de nabije toekomst. Toch betekent het vermogen om meerlaagse prototypes te vervaardigen op standaard 300-mm-wafers, geheugenarrays van meerdere gigabit te demonstreren en prestaties te behalen die de beoogde specificaties van het bedrijf benaderen, een belangrijke stap voorwaarts in de langlopende inspanningen van SanDisk om een nieuw type geheugen met hoge dichtheid te ontwikkelen.

SanDisk werkt tevens aan een andere geavanceerde geheugentechnologie, High Bandwidth Flash (HBF). In tegenstelling tot 3D Matrix Memory introduceert HBF geen geheel nieuwe geheugenarchitectuur. In plaats daarvan worden in wezen conventionele NAND-chips gestapeld om de bandbreedte te vergroten. Dat project is al veel dichter bij commercialisering. SanDisk meldt dat het eerste HBF-ontwerp de tape-out-fase heeft doorlopen en dat er naar verwachting volgend jaar monsters beschikbaar zullen zijn voor validatie.