Gerucht | Samsung 3nm GAAFET-massaproductie zal ten vroegste eind juni 2022 van start gaan

Samsung noemt GAAFET het beste sinds, nou ja... FinFET. (Bron: Samsung)

Samsung zou volgens de geruchten tegen eind juni of begin juli 2022 beginnen met de grootschalige fabricage van zijn volgende generatie 3-nanometerchips (3 nm). Daarmee zou het zijn rivaal TSMC voor kunnen blijven bij de aankondiging van een dergelijke doorbraak. Verwacht wordt dat de Zuid-Koreaanse reus zijn gepatenteerde vorm van gate-all-around field-effect transistor (GAAFET) zal toepassen op zijn nieuwste geavanceerde productieknooppunt

Deirdre O'Donnell, Published 23-06-2022 🇺🇸 🇫🇷 ...

Samsung heeft naar verluidt achterloopt op TSMC in termen van het krijgen van nieuwe chips gebaseerd op 3nm architecturen naar potentiële klanten zoals Qualcomm of AMD. Volgens de laatste geruchten zou het echter net andersom kunnen zijn, aangezien de Zuid-Koreaanse kolos in een positie zou kunnen verkeren om de noodzakelijke productieknooppunten al officieel te lanceren op de komende week (27 juni - 3 juli 2022).

De vice-voorzitter van Samsung's Electronics-divisie, Lee Jae-yong, heeft naar verluidt benaderd aSML benaderd in een poging de banden met deze potentieel cruciale partner aan te halen met het oog op plannen om de productie van 3 nm-wafers op te voeren met behulp van de extreme ultraviolettechnologie (EUV) van het Nederlandse bedrijfEUV) lithografie op te schalen naar massaproductiecapaciteit.

Bovendien heeft Samsung naar verluidt https://en.yna.co.kr/view/AEN20220622002900320 Joe Biden een 3nm-demonstratie overhandigd tijdens het officiële bezoek van de Amerikaanse president aan Zuid-Korea in mei 2022. Het bedrijf is naar verluidt van plan om zijn next-gen chips (die de basis kunnen vormen van processoren zoals de geruchtmakende Apple M2 Pro en Ryzen 8000 reeks) te maken op basis van de MBCFET structuur.

De "Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor" is Samsung's gepatenteerde versie van de GAAFETen is bedoeld als verbetering van de meer traditionele FinFET in die zin dat het siliciumkanaal (of de kanalen, zoals in nieuwere voorbeelden) van elke individuele transistor aan alle vier de zijden omgeven is door gate-elektrodemateriaal

Dit (volgens van Samsungalthans) een generatie lang lagere operationele spanning mogelijk, wat leidt tot een evenredige toename van vermogensefficiëntie en halfgeleiderprestaties. In het geval van de MBCFET kunnen de kanalen ook breder worden binnen het poortmateriaal, dankzij een revolutionair nanosheet- (in tegenstelling tot nanodraad-) productieproces.

Dit moet (in theorie) een groter kanaaloppervlak in contact met dat van de gate mogelijk maken, en dus een betere blootstelling aan stroom TSMCaan de andere kant, is van plan om vast te houden finFET voor zijn 3 nm-chips

Niettemin is nog steeds goed voor meer dan 50% van de halfgeleidermarkt in 2022, vergeleken met ~16% voor Samsung. Samsung hoopt misschien dat zijn lopende investeringen van 150 miljard dollar investeringsdrang kan helpen om weer aan de top te staan tegen de tijd dat 3nm de top-end standaard wordt in verwerkingshardware.