Notebookcheck Logo

SK hynix voegt naar verluidt DRAM en NAND samen in één opslagpakket met hoge bandbreedte om de AI-prestaties op het apparaat te verbeteren

Een paar SK hynix-chips (Afbeeldingsbron: SK hynix)
Een paar SK hynix-chips (Afbeeldingsbron: SK hynix)
SK hynix ontwikkelt naar verluidt een nieuw HBS-pakket (High-Bandwidth Storage) dat DRAM- en NAND-chips samenvoegt in één ultra-efficiënte module. De innovatie belooft snellere gegevensverwerking, betere warmtebeheersing en verbeterde AI-prestaties voor de volgende generatie smartphones en tablets.

SK hynix heeft naar verluidt een belangrijke mijlpaal bereikt met een innovatie die zou kunnen veranderen hoe mobiele apparaten omgaan met AI. De nieuwe hybride architectuur van het bedrijf, High-Bandwidth Storage (HBS), voegt DRAM en NAND samen, waardoor hogere gegevenssnelheden, lagere latentie en verbeterde energie-efficiëntie mogelijk worden.

Volgens ETNews verwacht SK hynix dat zijn nieuwe technologie de AI-prestaties van smartphones zal verbeteren.

Next-gen geheugen voor mobiele apparaten met AI

Het belangrijkste onderdeel van de nieuwste innovatie van SK hynix is de Vertical Wire Fan-Out (VFO) technologie. VFO is een methode waarmee tot 16 lagen DRAM en NAND verticaal gestapeld kunnen worden terwijl ze in een rechte lijn met elkaar verbonden zijn. Met dit proces kan SK hynix het signaalverlies en de transmissieafstand verminderen, omdat er geen gebogen bedrading nodig is, zoals gebruikelijk in traditionele pakketten.

Het resultaat is een HBS-pakket met een kortere gegevensverwerkingstijd en een grotere efficiëntie. Dit brengt bandbreedteverbeteringen naar mobiele apparaten, vergelijkbaar met hoe High-Bandwidth Memory (HBM) de prestaties in GPU's en AI-servers heeft verbeterd.

Kleiner, sneller en koeler

Volgens SK hynix vergt het nieuwe VFO-proces 4,6 keer minder bedrading. Het vermindert het stroomverbruik met 5 procent en verbetert de warmteafvoer met 1,4 procent. Het Zuid-Koreaanse bedrijf heeft ook de verpakkingshoogte met 27 procent verlaagd, waardoor mobiele apparaten nog slanker worden en bij lagere temperaturen kunnen werken.

SK hynix bespaart ook op de productiekosten omdat HBS, in tegenstelling tot HBM, geen Through-Silicon Via (TSV) productie vereist, waarbij gestapelde chips verticaal met elkaar verbonden worden door microscopische gaatjes door de silicium wafers te boren en te vullen. Bovendien helpt dit om de opbrengst te verhogen, wat cruciaal is voor het opschalen van de productie.

AI-prestaties naar mobiele chips brengen

In combinatie met de applicatieprocessor (AP) zal de HBS-module van SK hynix smartphones en tablets in staat stellen om AI-werklasten beter aan te kunnen. Het bedrijf heeft al op VFO gebaseerde DRAM-verpakking gebruikt in Apple's Vision Pro.

Bron(nen)

Please share our article, every link counts!
Mail Logo
> Overzichten en testrapporten over laptops en mobieltjes > Nieuws > Nieuws Archief > Nieuws archieven 2025 11 > SK hynix voegt naar verluidt DRAM en NAND samen in één opslagpakket met hoge bandbreedte om de AI-prestaties op het apparaat te verbeteren
David Odejide, 2025-11-12 (Update: 2025-11-13)