Huawei komt dichter bij 2 nm-klasse node zonder EUV

Een paar dagen geleden liet Huawei zijn allereerste 5 nm klasse smartphone SoC zien, gefabriceerd op SMIC's N+3 node. De Kirin 9030 voorziet Huawei's nieuwste Mate80 line-up van stroom. Nu lijkt het erop dat Huawei dicht bij zijn volgende doorbraak is: 2 nm. Halfgeleideronderzoeker Dr. Frederick Chen zag Huawei's patent uit 2022, maar publiceerde het pas onlangs; het moet nog worden goedgekeurd.

Het bespreekt het gebruik van bestaande DUV-infrastructuur om een metaalpitch van 21 nm te bereiken, wat gelijkwaardig zou zijn aan de 2 nm aanbiedingen van TSMC en anderen. Onder normale omstandigheden zou een DUV-laser meerdere belichtingen nodig hebben, maar Huawei heeft bedacht hoe dat teruggebracht kan worden tot vier via SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning).

Het is begrijpelijk dat er enige scepsis is over de commerciële haalbaarheid van een dergelijke onderneming. Om te beginnen zou de opbrengst veel te laag zijn om commercieel levensvatbaar te zijn. En zelfs als dat wel zo is, zullen ze niet in de buurt komen van op EUV gebaseerde oplossingen.

In een eerder rapport stond dat China werkte aan eigen EUV-gereedschappen en een 3 nm-knooppunt met op koolstofnanobuisjes gebaseerde halfgeleiders. Daar is recentelijk niet veel informatie over gekomen. Zelfs als het lukt, zal het niet snel officieel worden onthuld vanwege China's geheimzinnige benadering van zijn chipfabricage.